刘 锴
liuk@tsinghua.edu.cn
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北京
清华大学
Materials Science and Engineering
  • 2003-2008 博士: 清华大学物理系
  • 1999-2003 学士: 西安交通大学应用物理系
  • 在Science、Nature Electronics等期刊发表论文130余篇
  • 持有50余项专利
  • 2015.5至今 - 清华大学材料学院, 副教授
  • 2011.2-2015.5 - 美国劳伦斯伯克利国家实验室材料学部, 博士后
  • 2008.7-2011.2 - 清华大学化学系, 博士后
  • 2021年 国际材料研究学会联盟前沿材料青年科学家奖
  • 2020年 中国材料研究学会科学技术奖一等奖(第1完成人)
  • 2019年 ICMAT Rising Star Speaker Award (First Prize)
  • 2015年 国家级青年人才计划
  • 2010年 全国百篇优秀博士学位论文
  • 2008年 清华大学优秀博士毕业生
  • 2008年 清华大学“航天海鹰杯”学术新秀
一维、二维等低维范德华材料的界面性质
智能器件
高温电子器件
  • Programmable graded doping for reconfigurable molybdenum ditelluride devices, 刘 锴*, 2023
  • Water nanolayer facilitated solitary-wave-like blisters in MoS2 thin films, 刘 锴*, 2023
  • All‐transfer Electrode Interface Engineering Towards Harsh‐Environment‐Resistant MoS2 Field‐Effect Transistors, 刘 锴*, 2023
  • Liquid Precursor-Guided Phase Engineering of Single-Crystal VO2 Beams, 刘 锴*, 2023
  • Determining the interlayer shearing in twisted bilayer MoS2 by nanoindentation, 刘 锴*, 2022
  • Ultrafast self-heating synthesis of robust heterogeneous nanocarbides for high current density hydrogen evolution reaction, 刘 锴*, 2022
  • Continuous epitaxy of single-crystal graphite films by isothermal carbon diffusion through nickel, 刘 锴*, 2022
  • Wafer-scale freestanding vanadium dioxide film, 刘 锴*, 2021
  • Grain-Boundary Engineering of Monolayer MoS2 for Energy-Efficient Lateral Synaptic Devices, 刘 锴*, 2021
  • Monolayer MoS2 Synaptic Transistors for High-Temperature Neuromorphic Applications, 刘 锴*, 2021
范德华材料 界面性质 一维 二维 智能器件 高温 电子器件 材料科学 纳米技术 半导体

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